Programabilni ROM — разлика између измена
Садржај обрисан Садржај додат
м r2.7.1) (Робот додаје: eu:Programmable Read Only Memory |
мНема описа измене |
||
| Ред 2: | Ред 2: | ||
'''Програмабилна само-за-читање меморија''' ({{jez-eng-lat|Programmable read-only memory}} - ''-{PROM}-'') означава тип меморије који се може користити за записивање података само један пут. Због тога су подесне за уређаје којима није потребно стално мењање података већ се програм фабрички записује у процесу производње. |
'''Програмабилна само-за-читање меморија''' ({{jez-eng-lat|Programmable read-only memory}} - ''-{PROM}-'') означава тип меморије који се може користити за записивање података само један пут. Због тога су подесне за уређаје којима није потребно стално мењање података већ се програм фабрички записује у процесу производње. |
||
==Референце== |
|||
==References== |
|||
{{refbegin|2}}-{ |
{{refbegin|2}}-{ |
||
* View the US "Switch Matrix" Patent #3028659 at [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=03028659&idkey=NONE US Patent Office] or [http://www.google.com/patents?id=ydtHAAAAEBAJ Google] |
* View the US "Switch Matrix" Patent #3028659 at [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=03028659&idkey=NONE US Patent Office] or [http://www.google.com/patents?id=ydtHAAAAEBAJ Google] |
||
Верзија на датум 7. јун 2012. у 04:48
Програмабилна само-за-читање меморија (engl. Programmable read-only memory - PROM) означава тип меморије који се може користити за записивање података само један пут. Због тога су подесне за уређаје којима није потребно стално мењање података већ се програм фабрички записује у процесу производње.
Референце
- View the US "Switch Matrix" Patent #3028659 at US Patent Office or Google
- View Kilopass Technology Patent US "High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor and having variable gate oxide breakdown" Patent #6940751 at US Patent Office or Google
- View Sidense US "Split Channel Antifuse Array Architecture" Patent #7402855 at US Patent Office or Google
- View the US "Method of Manufacturing Semiconductor Integrated Circuits" Patent #3634929 at US Patent Office or Google
- CHOI et al. (2008). "New Non-Volatile Memory Structures for FPGA Architectures"
- For the Advantages and Disadvantages table, see Ramamoorthy, G: "Dataquest Insight: Nonvolatile Memory IP Market, Worldwide, 2008-2013", page 10. Gartner, 2009
