Template:半导体物理学：修订间差异
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|list4 = [[能带结构]] · [[能带計算]] · [[第一原理计算]] · [[导带]] · [[价带]] · [[禁帶]] · [[费米能]] · [[不純物準位]] · [[电子]] · [[空穴]] · [[施體 (半導體)|施體]] · [[受體 (半導體)|受體]] · [[物性物理学]] |
|list4 = [[能带结构]] · [[能带計算]] · [[第一原理计算]] · [[导带]] · [[价带]] · [[禁帶]] · [[费米能]] · [[不純物準位]] · [[电子]] · [[空穴]] · [[施體 (半導體)|施體]] · [[受體 (半導體)|受體]] · [[物性物理学]] |
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|group5 = [[電晶體]] |
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|list5 = [[閘流體]] · [[雙極性電晶體]](PNP、NPN) · [[ |
|list5 = [[閘流體]] · [[雙極性電晶體]](PNP、NPN) · [[场效应管]] · [[Power MOSFET]] · [[薄膜電晶體]]（TFT） · [[CMOS]] · [[増幅回路]] |
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|group6 = 關連 |
|group6 = 關連 |
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|list6 = [[二极管]] · [[太阳能电池]] · [[发光二极管]] |
|list6 = [[二极管]] · [[太阳能电池]] · [[发光二极管]] |
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